الصفحة الرئيسية
عن الكلية
عمادة الكلية
كلمة عميد الكلية
نبذة عن العمادة
العمداء السابقون
وكالات الكلية
وكالة الكلية
كلمة وكيل الكلية
نبذة عن وكالة الكلية
وكالة الكلية للدراسات العليا
كلمة وكيل الكلية للدراسات العليا
نبذة عن وكالة الكلية للدراسات العليا
الأنشطة العلمية
وحدة ريادة الأعمال
وحدة الجودة والتطوير
شعبة الإعتماد الأكاديمي
شعبة الجودة
شعبة القياس والتقويم
شعبة التدريب وتطوير الموارد البشرية
وكالة الكلية (شطر الطالبات)
إدارة الكلية
كلمة مدير الإدارة
كلمة مديرة الإدارة
إدارة الكلية شطر الطلاب
إدارة الكلية شطر الطالبات
الخطة الاستراتيجية
الشؤون التعليمية
مواقع التدريب التفاعلي
البحث العلمي
الأبحاث
مجلة كلية العلوم
تواصل معنا
الملفات
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
كلية العلوم
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مجلة دورية
عنوان الوثيقة
:
Effect of annealing on optical constants of Se75S25-xCdx chalcogenide thin films
Effect of annealing on optical constants of Se75S25-xCdx chalcogenide thin films
الموضوع
:
فيزياء
لغة الوثيقة
:
الانجليزية
المستخلص
:
The optical band gap and optical constants of as deposited and annealed thin films with thickness 3000 Å prepared by thermal evaporation technique of Se75S25-xCdx (where x=0, 2, and 4) chalcogenide glasses have been investigated as a function of photon energy in the wavelength region 400-1000 nm. Thin films were thermally annealed for one hour at three different temperatures chosen from the region in between their glass transition and crystallization temperatures. The glass transition and crystallization temperatures were measured by using non-isothermal DSC measurements. The absorption coefficient and optical band gap was found to increase with the increase in annealing temperatures, while the values of refractive index (n) and the extinction coefficient (k) decreases with the increase in annealing temperature. dc Conductivity measurements on thin films of Se75S25-xCdx are also reported in the temperature range 303-375 K. It has been observed that the conduction is due to thermally assisted tunneling of the carriers in the localized states near the band edges. The dc conductivity and activation energy were observed to increase on adding cadmium concentration in the present system. © 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.
ردمد
:
0921-4526
اسم الدورية
:
Physica B: Condensed Matter,
المجلد
:
404
العدد
:
8
سنة النشر
:
2009 هـ
2009 م
عدد الصفحات
:
5
نوع المقالة
:
مقالة علمية
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Tuesday, October 13, 2009
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
فرج سعيد مرشود الحازمى
Al-Hazmi, F.S
باحث
دكتوراه
Falhazmi@kau.edu.sa
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
23407.pdf
pdf
Abstract
الرجوع إلى صفحة الأبحاث